福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究内容

窒化物半導体トランジスタの研究

AlGaN/GaNやAlInN/GaNなどのヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタの設計・試作・評価を行います。化合物半導体スループロセスのできる専用クリーンルームでの試作実験を通して数100ボルト級の高耐圧特性や数10ギガヘルツ以上の高周波特性をもつ新構造の電子デバイスの実現をめざします。

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デバイスシミュレーション技術の研究

半導体新材料や新規デバイス構造をもつ化合物半導体トランジスタについてその直流特性や過渡特性等の特性予測をコンピュータシミュレーション技術を用いて行います。高周波動作、高電圧動作、低損失特性、高出力特性、高効率特性、高温動作などの可能性を理論面から検討します。数値計算プログラムの多くは、研究室独自で開発を行っています。

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デバイスプロセスと評価技術の研究

ワイドギャップ半導体への不純物ドーピング技術、オーミック電極やショットキー電極の形成技術、絶縁膜形成技術、半導体?絶縁膜界面の形成技術、半導体層のエッチング技術、微細電極の形成技術、トランジスタの直流特性、小信号特性、高周波パワー特性なと゜の評価技術、などの実験的検討を行います。

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