福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

IMFEDK2018にて博士前期課程1年青合充樹さん、小澤渉至さん、河端晋作さん、西谷高至さん、村田翔一さんが発表しました

2018年6月22日

IEEE主催の国際会議(IMFEDK2018)が6月21日~22日の日程で龍谷大学アバンティ響都ホールにて開催されました。
博士前期課程1年青合充樹さんが「Characterization of resistivity and breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates」、村田翔一さんが「Study on Threshold Voltage Hysteresis in GaN-based Vertical Trench MOSFETs」、西谷高至さんが「Improved Current Collapse in AlGaN/GaN MOS-HEMTs with dual Field-Plates」、河端晋作さんが「Effect of Post-gate Deposition Annealing on the Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN Gate」、小澤渉至さんが「Reduced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN layer at the gate-drain access region」を発表しました。