福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

忘年会を行いました

2018年12月27日

IWN2018にて博士前期課程1年村田翔一さんが学生発表賞を受賞しました。

2018年11月16日

博士前期課程1年村田翔一さんが窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)で学生発表賞を受賞しました。
葛原研究室では初めてのIWNでの受賞です。

IWN2018にて博士前期課程2年金谷彗杜さん、1年青合充樹さん、河端晋作さん、西谷高至さん、村田翔一さんが発表しました

2018年11月16日

窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)が11月12日~16日の日程で金沢にて開催されました。
16日の口頭発表で博士前期課程2年金谷彗杜さんが「Enhancement-mode AlGaN/GaN vertical trench MOS-HEMTs using an AlGaN regrown layer」、ポスター発表で博士前期課程1年西谷高至さんが「Characterization of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Gate Field Plate」(12日)、村田翔一さんが「Threshold Voltage Hysteresis in GaN-based Vertical Trench MOSFETs」(13日)、河端晋作さんが「Impact of air annealing on performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed gate structures」(13日)、青合充樹さんが「Study on Breakdown Field in Fe-doped Semi-insulating GaN Substrates」(15日)を発表しました。