福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 

2019年9月22日

9月18日-21日 北海道大学 札幌キャンパスにて第80回応用物理学会秋季学術講演会が開催されました。
当研究室からは大学院生4名が発表しました。

「ノーマリーオフAl2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTのAl2O3膜厚によるしきい値制御」
 河端晋作

「MOS-HEMTの破壊電圧近傍におけるリーク電流評価」
 西谷高至

「自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価」
 青合充樹

「AlGaN/GaN MOS HEMTの周波数特性評価」
 小澤 渉至