福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

電子情報通信学会 電子デバイス研究会にて博士前期課程2年鈴木敦也さんと鈴木雄大さんが発表しました

2016年12月12日

電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)が、12月12日(月)京都大学桂キャンパスにて開催されました。
博士前期課程2年鈴木雄大さんが「AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討」、鈴木敦也さんが「三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制」を発表しました。

新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム第2回会合にて葛原教授が講演しました

2016年11月14日

ポスト「京」プロジェクト重点課題(7)新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム第2回会合が、東京大学で開催されました。
葛原教授が「窒化物半導体:材料・デバイス研究の現状と計算科学への期待」と題し講演しました。

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)で博士前期課程2年篠倉暁希さんが発表しました

2016年10月7日

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016) が10月2~7日の日程でフロリダで開催されました。
博士前期課程2年篠倉暁希さんが「Characterization of GaN-Based Trench-Gate MOSFET with Implanted Source Region」を発表しました。
超大型ハリケーン「マシュー」がフロリダ州に襲来する中での滞在でした。