福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

ICNS-13

2019年7月7日

7月7日~12日 アメリカ Hyatt Regency Bellevueで開催されたICNS-13にて、山本教授が「E-Mode AlGaN/GaN Vertical Trench MIS-HEMTs with a High(~1 A/mm)Drain Current Fabricated Using AlGaN Regrowth Technique」と題して発表しました。