福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

第79回応用物理学会秋季学術講演会にて博士前期課程2年金谷彗杜さん、1年青合充樹さん、西谷高至さん、村田翔一さんが発表しました

2018年9月21日

第79回応用物理学会秋季学術講演会が9月18日~21日の日程で名古屋国際会議場にて開催されました。
21日の口頭発表で、博士前期課程2年金谷彗杜さんが「AlGaN再成長を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN縦型HEMTの作製」、博士前期課程1年青合充樹さんが「Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価」、西谷高至さんが「Al₂O₃MOSゲートFP-HEMTのコラプス特性評価」、村田翔一さんが「縦型トレンチGaN-MOSFETのヒステリシス評価」を発表しました。