福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 葛原研究室

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研究室だより

第66回応用物理学会春季学術講演会にて博士前期課程2年金谷彗杜さん、1年小澤渉至さん、河端晋作さん、西谷高至さんが発表しました

2019年3月11日

第66回応用物理学会春季学術講演会が3月9日~12日の日程で東京工業大学大岡山キャンパスにて開催されました。
11日のポスター講演で博士前期課程2年金谷彗杜さんが「縦型AlGaN/GaNトレンチMOS-HEMTのDC特性:p-GaN層Mg添加量の効果」、9日の口頭講演で博士前期課程1年小澤渉至さんが「AlGaN/GaN HEMT の高周波パワー特性と電流コラプスとの関係」、河端晋作さんが「再成長AlGaNによるAl2O3/AlGaN/GaN構造の絶縁膜/半導体界面特性の向上」、西谷高至さんが「MOSゲートFP-HEMTのオン耐圧評価」を発表しました。